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SI4435FDY-T1-GE3 全新原装4435F 封装SOIC-8 场效应管MOSFET

发布时间2024-7-6 11:29:00关键词:SI4435FDY-T1-GE3 全新原装4435F 封装SOIC-8 场效应管MOSFET
摘要

SI4435FDY-T1-GE3 全新原装4435F 封装SOIC-8 场效应管MOSFET

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 12.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 13.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 4.8 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay / Siliconix

配置: Single

下降时间: 16 ns

正向跨导 - 最小值: 25 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 30 ns

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 26 ns

单位重量: 750 mg