N沟道200V/30A 直插MOSFET场效应管MOSFET
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 82 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 33 ns
正向跨导 - 最小值: 17 S
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 43 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6 g
