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BSC028N06NS 封装 TDSON-8 22+ 场效应管(MOSFET) 电子元器件配单

发布时间2023-8-9 17:08:00关键词:BSC028N06NS
摘要

BSC028N06NS 封装 TDSON-8 22+ 场效应管(MOSFET) 电子元器件配单

产品属性 属性值 选择属性

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: 37 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

系列: OptiMOS 5

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 8 ns

正向跨导 - 最小值: 50 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 38 ns

5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: SP000917416 BSC28N6NSXT BSC028N06NSATMA1

单位重量: 104.400 mg