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制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 710 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 120 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商标名: Power MOS 8
封装: Tube
商标: Microchip Technology
下降时间: 26 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
高度: 5.31 mm
长度: 21.46 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
宽度: 16.26 mm
单位重量: 6 g
