产品属性 属性值 搜索类似
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H2PAK-2
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 183 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 62.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 165 ns
系列: STH260N6F6-2
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 4 g
