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IPB026N06N Infineon TO-263-3 MOSFET 晶体管 场效应管 供应原装现货

发布时间2022-9-21 12:06:00关键词:IPB026N06N
摘要

IPB026N06N Infineon TO-263-3 MOSFET 晶体管 场效应管 供应原装现货

IPB026N06N

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: 66 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 8 ns

正向跨导 - 最小值: 80 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

系列: OptiMOS 5

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 30 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: SP000962142 IPB26N6NXT IPB026N06NATMA1

单位重量: 4 g