您好,欢迎来到深圳市华芯源电子有限公司

K4T51163QG-HCE6 SAMSUNG/三星 BGA 动态随机存取存储器 供应原装现货

发布时间2022-8-25 9:44:00关键词:K4T51163QG-HCE6 原装现货
摘要

K4T51163QG-HCE6 SAMSUNG/三星 BGA 动态随机存取存储器 供应原装现货

K4T51163QG-HCE6

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: ISSI

产品种类: 动态随机存取存储器

RoHS: 详细信息

类型: SDRAM - DDR2

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: BGA-84

数据总线宽度: 16 bit

组织: 32 M x 16

存储容量: 512 Mbit

最大时钟频率: 333 MHz

访问时间: 450 ps

电源电压-最大: 1.9 V

电源电压-最小: 1.7 V

电源电流—最大值: 120 mA

最小工作温度: 0 C

最大工作温度: + 85 C

系列: IS43DR16320C

封装: Tray

商标: ISSI

湿度敏感性: Yes

产品类型: DRAM

209

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 198 mg