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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 135 V
Id-连续漏极电流: 160 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 210 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 56 ns
正向跨导 - 最小值: 270 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品: MOSFET
产品类型: MOSFET
上升时间: 56 ns
800
子类别: MOSFETs
类型: N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: IRF135SA204 SP001564264
单位重量: 1.600 g
