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STL8DN6LF6AGDFN5X6场效应MOS管晶体管N沟道MOSFET电子元器件配单

发布时间2023-6-5 9:59:00关键词:8DN6LF6AGDFN5X6
摘要

STL8DN6LF6AGDFN5X6场效应MOS管晶体管N沟道MOSFET电子元器件配单

产品属性 属性值 选择属性

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 32 A

Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 27 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 55 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: STripFET

系列: STL8DN6LF6AG

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

配置: Dual

下降时间: 7 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 56 ns

典型接通延迟时间: 9.6 ns

单位重量: 76 mg